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富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件

作者:管理員    時間:2013-7-26 12:48:57    閱讀次數:5861

上海,2013年07月23日 — 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規格的硅功率器件,品質因數(FOM)可降低近一半?;诟皇客ò雽w的GaN功率器件,用戶可以設計出體積更小,效率更高的電源組件,可廣泛的運用于家電、ICT設備和汽車電子等領域。

圖1. MB51T008A

MB51T008A具有許多優點,包括:1)導電阻13 mΩ,總柵極電荷為16 nC,使用相同的擊穿電壓,實現的品質因數(FOM)大約是基于硅的電源芯片產品的一半;2)使用WLCSP封裝,更小的寄生電感和高頻率操作;3) 專有的柵極設計,可實現默認關閉狀態,可進行常關操作。新產品是數據通信設備、工業產品和汽車電源中使用的DC-DC轉換器的高邊開關和底邊開關的理想選擇。此外,由于其支持電源電路中更高的開關頻率,電源產品可實現整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片,并于2014年開始批量生產。

除了提供150 V的耐壓值產品,富士通半導體還開發了耐壓為600 V 和 30 V的產品,從而有助于在更寬廣的產品領域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀80年代來牽頭開發的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術。富士通半導體在GaN領域擁有大量的專利技術和IP ,可迅速將GaN功率器件產品推向市場。富士通半導體還計劃與客戶在各個行業建立合作伙伴關系,以進一步拓展業務。

富士通半導體將于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產品。時間:2013年7月17-19日,地點:日本東京國際博覽中心。公司會提供性能有進一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產品和測試數據, 該產品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。

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